VISHAY

Транзистор SIZF4800LDT-T1-GE3

PowerPAIR® 3x3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 40 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIZF4800LDT-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	40 A
Power dissipation	56.8 W
Корпус	PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	19 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 80V; 8A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.