VISHAY

Транзистор SIZ902DT-T1-GE3

PowerPAIR® 3x3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 16 A
Pulsed drain current: 50...80 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIZ902DT-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	16 A
Pulsed drain current	50...80 A
Рассеиваемая мощность	29/66 W
Корпус	PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	14.5/8.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	21/65nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W

Документация

Документы пока не предоставлены.