VISHAY

Транзистор SIZ342BDT-T1-GE3

PowerPAIR® 3x3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 26.3 A
Pulsed drain current: 100 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIZ342BDT-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	26.3 A
Pulsed drain current	100 A
Power dissipation	16.7 W
Корпус	PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	9.65 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Semiconductor structure	asymmetric

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 26.3A; 16.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.