VISHAY

Транзистор SIZ320DT-T1-GE3

PowerPAIR® 3x3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25 V
Drain current: 30/40 A
Pulsed drain current: 80...120 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIZ320DT-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	25 V
Drain current	30/40 A
Pulsed drain current	80...120 A
Power dissipation	16.7/31 W
Корпус	PowerPAIR® 3x3
On-state resistance	12.7/6.58 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15/26.7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A

Документация

Документы пока не предоставлены.