VISHAY

Транзистор SIZ250DT-T1-GE3

PowerPAIR® 3x3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 38 A
Pulsed drain current: 80 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIZ250DT-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	38 A
Pulsed drain current	80 A
Power dissipation	33 W
Корпус	PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	18.87/18.11 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	21nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A

Документация

Документы пока не предоставлены.