VISHAY

Транзистор SIUD406ED-T1-GE3

PowerPAK® 0806-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 0.5 A
Pulsed drain current: 0.8 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIUD406ED-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	0.5 A
Pulsed drain current	0.8 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	PowerPAK® 0806-3
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	1.85 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.6nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.5A; Idm: 0.8A

Документация

Документы пока не предоставлены.