Антава

VISHAY

Транзистор SIUD401ED-T1-GE3

SIUD401ED-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-500 mA
Pulsed drain current
-1 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 990 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%86,07 ₽

Сумма · с НДС 22%86,07 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 186,07 ₽
от 1055,59 ₽
от 5038,37 ₽
от 10033,17 ₽
от 50024,93 ₽
от 100022,59 ₽
от 300019,73 ₽
от 600019,01 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIUD401ED-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-500 mA
Pulsed drain current-1 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусPowerPAK® 0806-3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance3.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -0.5A; Idm: -1A

Документация

Документы пока не предоставлены.