VISHAY

Транзистор SISS98DN-T1-GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: ThunderFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 11.2 A
Pulsed drain current: 30 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISS98DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	ThunderFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	11.2 A
Pulsed drain current	30 A
Рассеиваемая мощность	36 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.11 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	18.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 11.2A; Idm: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.