VISHAY

Транзистор SISS92DN-T1-GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: ThunderFET, TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250 V
Drain current: 9.9 A
Pulsed drain current: 20 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISS92DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	ThunderFET, TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	250 V
Drain current	9.9 A
Pulsed drain current	20 A
Power dissipation	42.1 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.19 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	16nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 250V; 9.9A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.