Антава

VISHAY

Транзистор SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
169 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 635 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%486,53 ₽

Сумма · с НДС 22%486,53 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1486,53 ₽
от 10263,09 ₽
от 30237,86 ₽
от 75218,04 ₽
от 100210,83 ₽
от 300189,21 ₽
от 500180,20 ₽
от 1000169,38 ₽
от 3000163,98 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSISS80DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current169 A
Pulsed drain current300 A
Рассеиваемая мощность42 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage-8...12 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge122nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.