VISHAY

Транзистор SISS78LDN-T1-GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70 V
Drain current: 53.3 A
Pulsed drain current: 120 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISS78LDN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	70 V
Drain current	53.3 A
Pulsed drain current	120 A
Рассеиваемая мощность	36 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	50nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 53.3A; Idm: 120A

Документация

Документы пока не предоставлены.