VISHAY

Транзистор SISS73DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: ThunderFET, TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150 V
Drain current: -12.9 A
Pulsed drain current: -30 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS73DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	ThunderFET, TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-150 V
Drain current	-12.9 A
Pulsed drain current	-30 A
Power dissipation	42.1 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.125 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	22nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.