VISHAY

Транзистор SISS71DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -23 A
Pulsed drain current: -40 A
Power dissipation: 36 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS71DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-23 A
Pulsed drain current	-40 A
Power dissipation	36 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	59 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	30nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; Idm: -40A; 36W

Документация

Документы пока не предоставлены.