VISHAY

Транзистор SISS66DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 142.6 A
Pulsed drain current: 200 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS66DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET + Schottky
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	142.6 A
Pulsed drain current	200 A
Power dissipation	42.1 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	2.19 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	85.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.