VISHAY

Транзистор SISS63DN-T1-GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -102 A
Pulsed drain current: -200 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISS63DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-102 A
Pulsed drain current	-200 A
Power dissipation	42.1 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	236nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -102A; Idm: -200A

Документация

Документы пока не предоставлены.