Антава

VISHAY

Транзистор SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-89.6 A
Pulsed drain current
-200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 838 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%322,79 ₽

Сумма · с НДС 22%322,79 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1322,79 ₽
от 10203,78 ₽
от 50154,91 ₽
от 100139,04 ₽
от 250121,54 ₽
от 500110,90 ₽
от 1000101,53 ₽
от 300089,44 ₽
от 600085,12 ₽
от 900084,40 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSISS61DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-89.6 A
Pulsed drain current-200 A
Рассеиваемая мощность42.1 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance9.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge231nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.