VISHAY

Транзистор SISS60DN-T1-GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 145.4 A
Pulsed drain current: 200 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISS60DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET + Schottky
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	145.4 A
Pulsed drain current	200 A
Рассеиваемая мощность	42.1 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-12...16 V
On-state resistance	2.01 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	85.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.