Антава

VISHAY

Транзистор SISS588DN-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
46.5 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSISS588DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current46.5 A
Pulsed drain current150 A
Power dissipation36.3 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.