Антава

VISHAY

Транзистор SISS5708DN-T1-BE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
27 A
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSISS5708DN-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current27 A
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A

Документация

Документы пока не предоставлены.