VISHAY

Транзистор SISS30ADN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 43.5 A
Pulsed drain current: 120 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS30ADN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	43.5 A
Pulsed drain current	120 A
Power dissipation	36 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	10.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	30nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A

Документация

Документы пока не предоставлены.