Антава

VISHAY

Транзистор SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-50 A
Pulsed drain current
-200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 41 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%351,33 ₽

Сумма · с НДС 22%351,33 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1351,33 ₽
от 10131,18 ₽
от 10094,90 ₽
от 20091,27 ₽
от 50076,19 ₽
от 100070,84 ₽
от 150067,98 ₽
от 300065,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSISS27DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-50 A
Pulsed drain current-200 A
Power dissipation36 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.14µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A

Документация

Документы пока не предоставлены.