VISHAY

Транзистор SISS27ADN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS27ADN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-50A
Pulsed drain current	-200A
Power dissipation	36W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	8.1mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	117nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A

Документация

Документы пока не предоставлены.