Антава

VISHAY

Транзистор SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-50 A
Pulsed drain current
-200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 584 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%345,71 ₽

Сумма · с НДС 22%345,71 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1345,71 ₽
от 10252,82 ₽
от 50174,37 ₽
от 100147,02 ₽
от 500105,42 ₽
от 100098,58 ₽
от 150094,97 ₽
от 300090,04 ₽
от 600085,67 ₽
от 1500080,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSISS23DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-50 A
Pulsed drain current-200 A
Power dissipation36 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge300nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A

Документация

Документы пока не предоставлены.