VISHAY

Транзистор SISS10DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 150A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS10DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40V
Drain current	60A
Pulsed drain current	150A
Power dissipation	36W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-16...20V
On-state resistance	3.6mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	75nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 36W

Документация

Документы пока не предоставлены.