VISHAY

Транзистор SISS10ADN-T1-BE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 86.8 A
Pulsed drain current: 150 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS10ADN-T1-BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	86.8 A
Pulsed drain current	150 A
Power dissipation	56.8 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	2.65 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	40.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.