VISHAY

Транзистор SISS06DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 138.1 A
Pulsed drain current: 300 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISS06DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	138.1 A
Pulsed drain current	300 A
Power dissipation	42 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	2.03 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	77nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 138.1A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.