VISHAY

Транзистор SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -86.6 A
Pulsed drain current: -300 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISS05DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-86.6 A
Pulsed drain current	-300 A
Рассеиваемая мощность	42 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-20...16 V
On-state resistance	5.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	115nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W

Документация

Документ производителя