Антава

VISHAY

Транзистор SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-35 A
Pulsed drain current
-80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 538 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%209,19 ₽

Сумма · с НДС 22%209,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1209,19 ₽
от 5158,33 ₽
от 10136,33 ₽
от 5096,66 ₽
от 10084,76 ₽
от 50075,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSISH625DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-35 A
Pulsed drain current-80 A
Рассеиваемая мощность33 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge126nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A

Документация

Документы пока не предоставлены.