VISHAY

Транзистор SISH536DN-T1-GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 54 A
Pulsed drain current: 200 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISH536DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	54 A
Pulsed drain current	200 A
Power dissipation	17 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-12...16 V
On-state resistance	4.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	25nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 54A; Idm: 200A; 17W

Документация

Документы пока не предоставлены.