VISHAY

Транзистор SISF06DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 81 A
Pulsed drain current: 190 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISF06DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	81 A
Pulsed drain current	190 A
Power dissipation	44.4 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	6.95 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	45nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A

Документация

Документы пока не предоставлены.