VISHAY

Транзистор SISF04DN-T1-GE3

PowerPAK® 1212-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 86 A
Pulsed drain current: 190 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SISF04DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	86 A
Pulsed drain current	190 A
Рассеиваемая мощность	44.4 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-12...16 V
On-state resistance	6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	60nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Semiconductor structure	common drain

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 86A; Idm: 190A

Документация

Документы пока не предоставлены.