Антава

VISHAY

Транзистор SISA18BDN-T1-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
30 V
Power dissipation
36.8 W
Gate-source voltage
-16...20 V
On-state resistance
6.83 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSISA18BDN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage30 V
Power dissipation36.8 W
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance6.83 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 30V; 36.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.