Антава

VISHAY

Транзистор SISA18ADN-T1-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
30.6A
Pulsed drain current
70A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSISA18ADN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current30.6A
Pulsed drain current70A
Power dissipation12.7W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage-16...20V
On-state resistance12mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A

Документация

Документы пока не предоставлены.