Антава

VISHAY

Транзистор SISA12BDN-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
30 V
Рассеиваемая мощность
4 W
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
-16...20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%95,41 ₽

Сумма · с НДС 22%286 230,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 300095,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSISA12BDN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage30 V
Рассеиваемая мощность4 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance4.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 30V; 4W; PowerPAK® 1212-8

Документация

Документы пока не предоставлены.