VISHAY

Транзистор SISA12ADN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 25 A
Pulsed drain current: 80 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISA12ADN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	25 A
Pulsed drain current	80 A
Power dissipation	18 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
On-state resistance	4.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	45nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W

Документация

Документы пока не предоставлены.