VISHAY

Транзистор SISA01DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -60 A
Pulsed drain current: -150 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SISA01DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-60 A
Pulsed drain current	-150 A
Power dissipation	33 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	-20...16 V
On-state resistance	8.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	84nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A

Документация

Документы пока не предоставлены.