Антава

VISHAY

Транзистор SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
28 A
Power dissipation
52 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 839 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%319,11 ₽

Сумма · с НДС 22%319,11 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1319,11 ₽
от 10202,11 ₽
от 100136,57 ₽
от 500108,08 ₽
от 1000104,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIS892ADN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current28 A
Power dissipation52 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance47 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W

Документация

Документ производителя