Антава

VISHAY

Транзистор SIS888DN-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
ThunderFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIS888DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияThunderFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current16 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation33 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 16A; Idm: 50A; 33W

Документация

Документы пока не предоставлены.