VISHAY

Транзистор SIS698DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 10A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIS698DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100V
Drain current	5.5A
Pulsed drain current	10A
Power dissipation	12.7W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	0.23Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.5A; Idm: 10A

Документация

Документы пока не предоставлены.