Антава

VISHAY

Транзистор SIS590DN-T1-GE3

Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIS590DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100V; PowerPAK® 1212-8

Документация

Документы пока не предоставлены.