Антава

VISHAY

Транзистор SIS472ADN-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIS472ADN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current24 A
Pulsed drain current60 A
Рассеиваемая мощность18 W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A; 18W

Документация

Документы пока не предоставлены.