Антава

VISHAY

Транзистор SIS4406DN-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
62.8 A
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIS4406DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current62.8 A
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance4.75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 62.8A

Документация

Документы пока не предоставлены.