Антава

VISHAY

Транзистор SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
12A
Pulsed drain current
30A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIS412DN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current12A
Pulsed drain current30A
Power dissipation10W
КорпусPowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance24mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W

Документация

Документы пока не предоставлены.