Антава

VISHAY

Транзистор SIS184LDN-T1-GE3

SIS184LDN-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
60 V
Drain current
69.4 A
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%193,53 ₽

Сумма · с НДС 22%580 590,00 ₽

От 3000 шт. · шаг 3000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000193,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIS184LDN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage60 V
Drain current69.4 A
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 60V; 69.4A; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.