Антава

VISHAY

Транзистор SIRS5700DP-T1-RE3

SIRS5700DP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
144 A
Рассеиваемая мощность
8.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIRS5700DP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current144 A
Рассеиваемая мощность8.3 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge73nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 144A; 8.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.