VISHAY

Транзистор SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 60 A
Pulsed drain current: 100 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIRC06DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET + Schottky
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	60 A
Pulsed drain current	100 A
Power dissipation	32 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	58nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A

Документация

Документы пока не предоставлены.