VISHAY

Транзистор SIRB40DP-T1-GE3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 40 A
Pulsed drain current: 100 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIRB40DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	40 A
Pulsed drain current	100 A
Power dissipation	29.6 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	4.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	93nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.