VISHAY

Транзистор SIRA96DP-T1-GE3

SIRA96DP-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 12 A
Pulsed drain current: 65 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIRA96DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	12 A
Pulsed drain current	65 A
Power dissipation	22.2 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	-16...20 V
On-state resistance	12 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	31nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A

Документация

Документы пока не предоставлены.