Антава

VISHAY

Транзистор SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
400 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 194 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%506,60 ₽

Сумма · с НДС 22%506,60 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1506,60 ₽
от 10300,34 ₽
от 50242,44 ₽
от 100222,54 ₽
от 500186,35 ₽
от 1000173,69 ₽
от 3000155,60 ₽
от 6000146,55 ₽
от 9000144,74 ₽
от 12000142,93 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIRA90DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current100 A
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность66.6 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance1.15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge153nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A

Документация

Документы пока не предоставлены.