Антава

VISHAY

Транзистор SIRA60DDP-T1-UE3

SIRA60DDP-T1-UE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
193 A
Pulsed drain current
500 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIRA60DDP-T1-UE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current193 A
Pulsed drain current500 A
Power dissipation78 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance0.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 193A; Idm: 500A

Документация

Документы пока не предоставлены.